IGBT作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件，已廣泛應(yīng)用于工業(yè)、4C(通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子)、航空航天、國(guó)防軍工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。而燒結(jié)銀由于其超高的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能，低溫?zé)o壓燒結(jié)、高溫服役，連接強(qiáng)度高、抗疲勞性能好，成分不含膠、無有機(jī)殘留物等高性價(jià)比特性在封裝IGBT模塊中的應(yīng)用使得IGBT充分發(fā)揮優(yōu)質(zhì)性能。