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產(chǎn)品中心

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功率芯片燒結(jié)銀封裝

南京芯興提供功率器件的封裝技術(shù)方案：SiC MOSFET或SiC SBD采用有壓燒結(jié)銀焊接，導(dǎo)熱率達(dá)到260W/mK以上，無孔洞，顯著降低器件節(jié)溫，提高了器件導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和長(zhǎng)期使用可靠性。

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產(chǎn)品詳情

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產(chǎn)品特點(diǎn)：

  • 高導(dǎo)熱，導(dǎo)熱率達(dá)到260W/m·k

  • 低溫?zé)Y(jié)，高溫服役，使用溫度可達(dá)500℃以上

  • 連接強(qiáng)度高，剪切力＞100MPa

  • 抗疲勞性能好，可靠性高